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飞兆DualCool封装新技术通过顶部散热实现DCDC更高功率密度电源技术万芳

发布时间:2020-02-14 12:32:49 阅读: 来源:岩棉板生产家厂家

飞兆Dual Cool封装新技术通过顶部散热实现DC-DC更高功率密度 - 电源技术 - 电子工程网

随着功率模块、电信和服务器等DC-DC应用设备变得愈加空间紧凑,设计人员寻求更小的器件以应对其设计难题,而器件的热性能是人们关注的考虑因素。

为了满足高电流能力、高效率和更小外形尺寸的需求,飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 开发出用于MOSFET器件的Dual Cool封装,Dual Cool封装是采用崭新封装技术的顶部冷却PQFN器件,可以通过封装的顶部实现额外的功率耗散。

Dual Cool封装具有外露的散热块,能够显著减小从结点到外壳顶部的热阻。与标准PQFN封装相比,Dual Cool封装在配合散热片使用时,可将功率耗散能力提高60%以上。此外,采用Dual Cool 封装的MOSFET通过使用飞兆半导体专有的PowerTrench工艺技术,能够以较小的封装尺寸实现更低的RDS(ON)和更高的负载电流。

不同于其它采用顶部冷却的解决方案,这些器件提供有Power33 (3.3mm x 3.3mm)和Power56 (5mm x 6mm) Dual Cool封装选项。Dual Cool封装保持与行业标准PQFN相同的占位面积,可让功率工程师快速验证采用Dual Cool封装的MOSFET器件,无需采用非标准封装,即可获得更佳的热效率。

目前采用Dual Cool封装的器件包括FDMS2504SDC、FDMS2506SDC、FDMS2508SDC、FDMS2510SDC (5mm x 6mm)和FDMC7660DC (3.3mm x 3.3mm),这些器件是用于DC-DC转换器、电信次级端整流和高端服务器/工作站应用的同步整流MOSFET的理想选择。飞兆半导体Dual Cool 封装MOSFET具有顶部冷却和超低结温(RthJA)特性,能够提升热效率。采用Dual Cool封装的MOSFET器件可以使用或不使用散热片。要了解有关Dual Cool封装器件的更多信息,请访问网页: www.fairchildsemi.com/dualcool。

Dual Cool封装MOSFET是飞兆半导体行业领先的MOSFET产品系列的一部分,飞兆半导体通过了解空间受限应用对更高电流、更小占位面积DC-DC电源的需求,以及客户和其服务的市场,量身定做具备独特的功能、工艺和封装创新组合的解决方案,在电子产品设计方面发挥重要的作用。

查看飞兆半导体Dual Cool封装的其它信息,请访问网站: www.fairchildsemi.com/dualcool

价格(订购1,000个): FDMS2504SDC 的单价为4.14美元

FDMS2506SDC 的单价为3.46美元

FDMS2508SDC 的单价为2.70美元

FDMS2510SDC 的单价为2.08美元

FDMC7660DC 的单价为1.38美元

供货: 现提供样品

交货期 :收到订单后8至12周

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